Fondata nel 1973 come Germanium Power Devices Corp., GPD Optoelectronics si è evoluta dalla produzione di transistor al germanio fino a diventare un produttore affidabile di fotorilevatori al germanio e all’arseniuro di indio e gallio (InGaAs), nonché di fotorilevatori multielemento.
Con decenni di esperienza, l’azienda ha ampliato la propria competenza tecnica e la capacità produttiva, operando da una moderna sede a Salem, New Hampshire. Guidata da principi di integrità e attenzione al cliente, GPD si impegna nel miglioramento continuo, nella puntualità delle consegne e in un servizio di eccellenza.
Oltre a una vasta gamma di prodotti standard, GPD è specializzata nella progettazione di componenti personalizzati per applicazioni specifiche, sviluppando spesso prototipi in poche settimane. Le competenze interne comprendono la progettazione e il collaudo di wafer, la lavorazione meccanica di precisione, la stampa CNC e 3D, nonché strutture avanzate in camera bianca per sigillature ermetiche e assemblaggi automatizzati.
Le procedure di ispezione e collaudo di GPD rispettano gli standard MIL-I-45208, Telcordia (TA-NWT-00093) e MIL-STD-883. L’azienda è inoltre certificata ISO 9001:2015, garanzia di qualità costante e prestazioni affidabili per l’intera gamma di prodotti.
Fotodiodi al Germanio
I fotodiodi al germanio sono ampiamente utilizzati per la misurazione della potenza ottica nella gamma del vicino infrarosso (NIR), in particolare nelle applicazioni sensibili al costo o in quelle che richiedono rivelatori di grande area.
Sebbene presentino generalmente una resistenza di shunt inferiore e una dark current più elevata rispetto ai rivelatori InGaAs – con conseguente maggiore rumore – i fotodiodi al germanio offrono prestazioni affidabili in applicazioni in cui il livello del segnale supera significativamente il livello di rumore.
La serie “HS” di fotodiodi al germanio GPD Optoelectronics è progettata per offrire una resistenza di shunt potenziata, garantendo prestazioni superiori rispetto ai dispositivi standard.
Caratteristiche principali:
Diametri dell’area attiva da 1 mm a 25 mm, per adattarsi a diversi progetti di sistemi ottici
Ampia risposta spettrale da 800 nm a 1700 nm, per un rilevamento NIR versatile
Eccellente linearità, superiore a 10 dBm, per misurazioni precise e stabili
Opzioni ottiche personalizzate, con diverse configurazioni di lenti e finestre
Filtri ottici integrati disponibili — neutral density, bandpass e altri tipi
Raffreddamento termoelettrico opzionale, per prestazioni migliorate e riduzione della corrente oscura
Ampia scelta di package, inclusi package TO, opzioni BNC, chip su supporto ceramico e altri formati personalizzati
Fotodiodi InGaAs ad alta velocità
I fotodiodi all’arseniuro di indio e gallio (InGaAs) sono ampiamente utilizzati per la rilevazione della luce nello spettro del vicino infrarosso (NIR). Rispetto ai rivelatori al germanio, i dispositivi InGaAs offrono una resistenza di shunt significativamente più elevata e una dark current molto più bassa, garantendo così un rapporto segnale/rumore superiore.
Queste caratteristiche rendono i fotodiodi InGaAs la scelta ideale per misurazioni ad alta sensibilità e per applicazioni ottiche a basso rumore.
Caratteristiche principali:
Progettati per applicazioni ad alta velocità e alta sensibilità, i fotodiodi InGaAs offrono prestazioni eccezionali e affidabilità costante in tutto lo spettro del vicino infrarosso.
Diametri dell’area attiva da 60 μm a 300 μm, per una rilevazione precisa e una risposta rapida
Risposta spettrale compresa tra 850 nm e 1700 nm, per un’ampia gamma di applicazioni NIR
Bassa dark current, che assicura alta sensibilità e ottimo rapporto segnale/rumore
Bassa capacità per un funzionamento ad alta velocità — fino a 2,5 GHz, a seconda del tipo di package
Opzioni di confezionamento flessibili, tra cui package TO, pigtail in fibra ottica, chip su supporto ceramico e molte altre configurazioni personalizzate
Fotodiodi InGaAs
Caratteristiche principali:
Prestazioni superiori e massima flessibilità grazie a una tecnologia di fotodiodi avanzata, progettata per soddisfare le esigenze delle applicazioni ottiche più impegnative
Aree attive versatili da 100 μm a 10.000 μm, per adattarsi a un’ampia gamma di richieste
Ampia risposta spettrale da 850 nm a 1700 nm, con opzioni estese fino a 2,6 μm
Sensibilità eccezionale grazie all’elevata resistenza di shunt e alle prestazioni a basso rumore
Ottica personalizzabile, con diverse configurazioni di lenti e finestre
Raffreddamento termoelettrico opzionale, per una stabilità migliorata e una riduzione della corrente oscura in ambienti di misura ad alta precisione
Fotodiodi InGaAs ad area piccola
Fotodiodi InGaAs ad area grande
Fotodiodi InGaAs a risposta spettrale estesa
Caratteristiche principali:
Progettati per garantire precisione e versatilità, i fotodiodi InGaAs a gamma estesa offrono prestazioni eccezionali nelle applicazioni più esigenti del vicino infrarosso (NIR)
Aree attive da 0,3 mm a 3 mm, per soddisfare una varietà di esigenze progettuali
Lunghezze d’onda di cutoff estese disponibili @ 1,9 μm, 2,05 μm, 2,2 μm e 2,6 μm, per una copertura spettrale ampliata
Elevata resistenza di shunt, che garantisce sensibilità superiore e basso rumore
Configurazioni ottiche flessibili, con diverse opzioni di finestre e lenti
Disponibili in package TO-46, TO-18 e TO-5, per una facile integrazione nei sistemi
Raffreddamento termoelettrico opzionale, per una stabilità termica migliorata e riduzione della dark current
Fotodiodi InGaAs a valanga
I fotodiodi a valanga all’arseniuro di indio e gallio (InGaAs APD) sono progettati per applicazioni che richiedono una sensibilità superiore rispetto a quella offerta dai fotodiodi standard. Grazie a un meccanismo di guadagno interno basato sulla ionizzazione per impatto, questi dispositivi generano una valanga di elettroni che amplifica i segnali ottici deboli, migliorando significativamente la capacità di rilevamento.
Gli APD rappresentano la soluzione ideale per applicazioni a basso segnale, come LiDAR, comunicazioni ottiche e altri sistemi di rilevamento di precisione.
Caratteristiche principali:
Diametri dell’area attiva da 80 μm a 350 μm, per adattarsi a diverse configurazioni ottiche
Risposta spettrale compresa tra 900 nm e 1650 nm, per prestazioni costanti nel vicino infrarosso (NIR)
Eccellente linearità, che garantisce misurazioni precise del segnale anche a livelli di potenza variabili
Bassa dark current, per sensibilità superiore e rumore ridotto
Bassa capacità, che consente funzionamento ad alta velocità e tempi di risposta rapidi
Opzioni con pigtail in fibra ottica, disponibili in configurazioni single-mode o multi-mode
Confezionamenti flessibili, tra cui package TO e supporti ceramici con lente sferica opzionale
Fotodiodi InGaAs a quattro quadranti
Il fotodiodo InGaAs Quadrant standard è dotato di quattro aree attive indipendenti integrate su un unico rivelatore. Ogni segmento genera una corrente proporzionale alla posizione del fascio luminoso sulla superficie, consentendo una determinazione precisa della posizione e del movimento del raggio. Questa configurazione è ideale per applicazioni di rilevamento di posizione di precisione, allineamento del fascio laser e tracciamento ottico.
Caratteristiche principali:
Opzioni di package standard: TO-46, TO-5 e LCC
Spectral response from 800 nm to 1700 nm for broad NIR detection
Diametri dell’area attiva disponibili da 0,5 mm, 1,0 mm, 1,5 mm, 2,0 mm, 3,0 mm e 5,0 mm
Alta sensibilità e basso crosstalk, per una chiara separazione dei segnali
Elevata resistenza di shunt e bassa dark current, per un rapporto segnale/rumore ottimale
Bassa capacità, che consente ampia larghezza di banda per segmento e risposta rapida
Configurazioni personalizzabili, con package, rivestimenti, filtri e opzioni ottiche su misura
Configurazioni “double-quad” disponibili per applicazioni di allineamento avanzato e multi-fascio
Fotodiodo InGaAs di posizione ad effetto laterale
I fotorivelatori di posizione al germanio offrono una rilevazione continua della posizione su un’ampia area attiva, garantendo prestazioni precise e stabili nella gamma del vicino infrarosso (NIR). Progettati per applicazioni di metrologia ottica, allineamento del fascio e posizionamento di precisione, questi rivelatori assicurano un funzionamento affidabile e un’eccellente uniformità di risposta, anche in ambienti di misura particolarmente esigenti.
Caratteristiche principali:
Ampia area attiva fino a 10 × 10 mm, per una rilevazione continua della posizione
Risposta spettrale da 800 nm a 1700 nm, per una completa compatibilità con il NIR
Configurazione PSD tetralaterale, che garantisce una rilevazione di posizione accurata e stabile con uscita lineare
Fotodiodi InGaAs "Low Polarization-Dependent-Loss"
Caratteristiche principali:
Design indipendente dall’area, con diametri attivi da 0,3 mm a 10 mm
Alta sensibilità per una rilevazione accurata anche in condizioni di bassa luminosità
Lunghezza d’onda di cutoff a 1,7 μm (lattice-matched), per prestazioni affidabili nel vicino infrarosso (NIR)
Bassa dipendenza dalla polarizzazione, che assicura una risposta costante anche con variazioni nelle condizioni di illuminazione
Compatibilità con connettori ottici standard, inclusi FC, SC, ST e SMA
Array multi-elementi
Caratteristiche principali:
Risposta spettrale da 800 nm a 1700 nm, per un’ampia capacità di rilevazione nel vicino infrarosso (NIR)
Array lineari standard disponibili con 4, 8, 12 o 16 elementi, montati su un substrato ceramico avvolgente ad alta resistenza
Diametro degli elementi di 80 μm e passo di 250 μm, ideali per l’allineamento di nastri in fibra ottica
Configurazioni di array personalizzabili, con numero di elementi, diametro e passo definiti dall’utente, per soddisfare specifici requisiti progettuali
Fotodiodi a "bicolore"
I fotorivelatori bicolore (a sandwich) sono progettati per applicazioni che richiedono una gamma spettrale estesa o una misurazione remota precisa della temperatura.
Ogni rivelatore integra due fotodiodi sovrapposti, realizzati con materiali semiconduttori uguali o differenti, per ottenere risposte spettrali complementari.
È disponibile un’ampia selezione di configurazioni standard e personalizzate, basate su materiali come silicio, germanio, InGaAs e InGaAs a lunghezza d’onda estesa, per offrire soluzioni su misura destinate ad applicazioni di misura e rilevamento avanzate.
Caratteristiche principali:
Risposta spettrale estesa, ideale per rilevazioni a doppia lunghezza d’onda e a banda larga
Ampia area attiva, per una raccolta efficiente della luce e una maggiore sensibilità
Bassa corrente oscura, che garantisce un eccellente rapporto segnale/rumore e stabilità nelle misurazioni
Introduzione base sulla pirometria
OPZIONI ED ACCESSORI
Ulteriori informazioni sul sito web di GPD Optoelectronics Corp.
